薄層WS2納米結(jié)構(gòu)由于其優(yōu)異的結(jié)構(gòu)而引起了極大的關(guān)注,與MOS2相比較時的性能,包括較大的層間距、較高的能量間隙和較好的光熱和潤滑性能。然而,制備高質(zhì)量WS2納米片仍然具有挑戰(zhàn)性。
并將它們組裝成大量。在這項(xiàng)工作中,我們報告了一種簡易高效的微波輔助系統(tǒng),用溶劑熱法合成N-甲基-2-石韋(NMP)中WS2、納米結(jié)構(gòu)廉價的六氯化鎢(WCl6)和元素硫作為原料,WS2的形成通過調(diào)節(jié)反應(yīng)物濃度和反應(yīng)溫度,研究了納米片及其控制組件為不同形貌(如納米錐和納米蠕蟲)。
該方法具有:也被成功地應(yīng)用于制備其它過渡金屬Dichalogenides,例如MoS2。所需的得到的WS2和MoS2納米材料的特征在于透射電子顯微鏡(TEM),掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)和拉曼光譜。研究了WS2納米結(jié)構(gòu)的光熱特性,已發(fā)現(xiàn)WS2納米片具有最佳的光熱效率和穩(wěn)定的光熱能力,對于光熱治療和其它領(lǐng)域具有極大的潛力。